旋轉光纖
- 產品型號：
- 更新時間：2023-12-19
- 產品介紹：旋轉光纖是的高度雙折射光纖，它通過在拉制過程中先旋轉蝴蝶結式的單模保偏光纖來制造，而不是在拉制之后使其扭轉。它們經旋轉使得蝴蝶結結構沿光纖的軸向方向轉動（參見頁面上方的圖）。我們提供針對1310 nm（產品型號為SHB1250G80和SHB1250）和1550 nm（產品型號為SHB1500）的激光源的光纖。
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產品介紹
| 品牌 | Thorlabs | 價格區間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 組件類別 | 光學元件 | 應用領域 | 電子 |
旋轉光纖
旋轉光纖特性
設計波長：1310 nm或1550 nm
針對電流感應應用優化
輸出偏振對熱噪聲和振動噪聲不敏感
應用：
光纖電流傳感器 (FOCS)
光學電流互感器 (OCT)
旋轉光纖是的高度雙折射光纖，它通過在拉制過程中先旋轉蝴蝶結式的單模保偏光纖來制造，而不是在拉制之后使其扭轉。它們經旋轉使得蝴蝶結結構沿光纖的軸向方向轉動（參見頁面上方的圖）。我們提供針對1310 nm（產品型號為SHB1250G80和SHB1250）和1550 nm（產品型號為SHB1500）的激光源的光纖。與傳統PM光纖不同，它們設計用來保持線性偏振和圓偏振，且輸出偏振對熱噪聲和振動噪聲以及由應力雙折射所致的漂移不敏感。
這些高度雙折射旋轉光纖的特性使它們非常適用于高靈敏度的光纖電流傳感器（FOCS）[也稱為光學電流互感器（OCT）]。在這些應用中，它們可用于AC電流傳感和DC電流傳感。FOCS和OCT依靠測量由法拉第效應所致的光偏振軸的旋轉圈數（見圖1）。法拉第效應通過所施加的磁場導致偏振態的旋轉。對于電流傳感應用，磁場由載流導體產生。因為由導體產生的磁場與電流呈線性正比關系，所以偏振旋轉也與電流呈正比?？赏ㄟ^將光纖纏繞導體來進一步增加靈敏度（見圖2）。在這種情況下， 旋轉圈數β與Vx N x I呈正比，其中V、N和I如右邊所定義。
將這些旋轉光纖用作FOCS或OCT具有優于傳統方法的幾個優點。光纖內部產生偏振旋轉，從任何電壓線或電壓源隔離。這消除了原本可能影響測量的任何電氣噪聲。光纖對外部場格外敏感，具有非?？斓捻憫獣r間，并且重量輕，結構緊湊。關于電流傳感應用的更多信息，請參見制造商的技術和應用說明。
欲訂購這些光纖作為連接器式的跳線，請聯系技術支持。
圖1：法拉第效應的圖示
圖2：纏繞導體的旋轉光纖，用于電流感應應用
β ∝Vx N x I
V：Verdet常數（參見曲線標簽），它是光學材料的一種屬性，以rad/A為單位
N：光纖纏繞電流導體的圈數。
I：流過導體的電流，以A為單位
| Item #a | OperatingWavelength | CladdingDiameter | CoatingDiameter | MFDb | NA | Cut-Off Wavelength | Attenuation | Circular BeatLength |
| SHB1250G80 | 1310 nm | 80 ± 1.5 µm | 170 ± 10 µm | 6.2 - 8.4 µm@ 1310 nm | 0.13 - 0.17 | ≤1250 nm | ≤5 dB/km@ 1310 nm | 63 - 125 mm@ 1310 nm |
| SHB1250 | 1310 nm | 125 ± 1 µm | 245 ± 15 µm | 6.2 - 8.4 µm@ 1310 nm | 0.13 - 0.17 | ≤1250 nm | ≤5 dB/km@ 1310 nm | 63 - 125 mm@ 1310 nm |
| SHB1500 | 1550 nm | 125 ± 1 µm | 245 ± 15 µm | 7.9 - 9.9 µm@ 1550 nm | 0.13 - 0.16 | ≤1500 nm | ≤3 dB/km@ 1550 nm | 72 - 144 mm@ 1550 nm |
模場直徑（MFD）為標稱值。它是近場中以1/e2功率等級時的直徑。更多信息請參見上方MFD定義標簽。完整規格列表參見規格標簽。
規格
Fiber | SHB1250G80 | SHB1250 | SHB1500 |
Operating Wavelength | 1310 nm | 1550 nm | |
Cut-Off Wavelength | ≤ 1250 nm | ≤ 1500 nm | |
Numerical Aperture | 0.13 - 0.17 | 0.13 - 0.16 | |
Mode Field Diameter | 6.2 - 8.4 µm @ 1310 nm | 7.9 - 9.9 µm @ 1550 nm | |
Attenuation | ≤ 5 dB/km @ 1310 nm | ≤ 3 dB/km @ 1550 nm | |
Circular Beat Length | 63 - 125 mm @ 1310 nm | 72 - 144 mm @ 1550 nm | |
Nominal Spin Pitcha | 4.8 mm | ||
Proof Test | 100 kpsi (1%) | ||
Cladding Diameter | 80 ± 1.5 µm | 125 ± 1 µm | |
Core-Cladding Concentricity | 1.0 µm | ||
Coating Diameter | 170 ± 10 µm | 245 ± 15 µm | |
Coating Diameter | 170 ± 10 µm | ||
旋轉間距指的是光纖中固定的360度旋轉的規律性。例如，5 mm旋轉間距意思是對成品光纖將以每5 mm來固定光纖的360度旋轉。
曲線
這個曲線圖為計算的旋轉光纖總靈敏度的值。較小的Ø80 µm包層光纖在較小的線圈直徑時比較大的Ø125 µm包層光纖靈敏。因此，Ø80 µm包層光纖可以更緊密地纏繞，并提供更的電流測量。關于總靈敏度的定義，請參見制造商的技術說明的第三頁。
上方曲線圖為這些旋轉光纖的Verdet常數的理論值。
模場直徑定義
模場直徑（MFD）是在單模光纖中傳播的光的光束寬度的一個度量。它與波長、纖芯半徑以及纖芯和包層的折射率呈函數關系。雖然光纖中大部分光都被束縛在纖芯內，但有小部分光在包層中傳播。對于高斯功率分布，MFD是光功率從其峰值等級下降到1/e2時的直徑。
MFD的測量
MFD的測量由遠場可變孔徑法（VAMFF）完成。 將光闌置于光纖輸出的遠場中，并測量強度。將依次減小的光闌置于光束中，對每種孔徑測量強度等級；所得數據可繪圖為功率vs.孔徑半角（或對于SM光纖是數值孔徑）的正弦值的曲線。
接著用彼得曼第二定義確定MFD，這個彼得曼第二定義不假設功率分布的特定形狀。近場中MFD可從這個遠場測量用漢克爾變換來確定。
左圖是通過光纖傳播的光束的強度分布。右圖是通過光纖傳播的光束的標準強度分布，圖中標注了MFD和纖芯直徑。
損傷閥值
激光誘導的光纖損傷
以下教程詳述了無終端(裸露的)、有終端光纖以及其他基于激光光源的光纖元件的損傷機制，包括空氣-玻璃界面(自由空間耦合或使用接頭時)的損傷機制和光纖玻璃內的損傷機制。諸如裸纖、光纖跳線或熔接耦合器等光纖元件可能受到多種潛在的損傷(比如，接頭、光纖端面和裝置本身)。光纖適用的大功率始終受到這些損傷機制的小值的限制。
雖然可以使用比例關系和一般規則估算損傷閾值，但是，光纖的損傷閾值在很大程度上取決于應用和特定用戶。用戶可以以此教程為指南，估算大程度降低損傷風險的安全功率水平。如果遵守了所有恰當的制備和適用性指導，用戶應該能夠在的大功率水平以下操作光纖元件；如果有元件并未大功率，用戶應該遵守下面描述的"實際安全水平"該，以安全操作相關元件?？赡芙档凸β蔬m用能力并給光纖元件造成損傷的因素包括，但不限于，光纖耦合時未對準、光纖端面受到污染或光纖本身有瑕疵。關于特定應用中光纖功率適用能力的深入討論，請聯系技術支持techsupport-cn@thorlabs.com。
Quick Links |
Damage at the Air / Glass Interface |
Intrinsic Damage Threshold |
Preparation and Handling of Optical Fibers |
空氣-玻璃界面的損傷
空氣/玻璃界面有幾種潛在的損傷機制。自由空間耦合或使用光學接頭匹配兩根光纖時，光會入射到這個界面。如果光的強度很高，就會降低功率的適用性，并給光纖造成yong久性損傷。而對于使用環氧樹脂將接頭與光纖固定的終端光纖而言，高強度的光產生的熱量會使環氧樹脂熔化，進而在光路中的光纖表面留下殘留物。
損傷的光纖端面
未損傷的光纖端面
裸纖端面的損傷機制
光纖端面的損傷機制可以建模為大光學元件，紫外熔融石英基底的工業標準損傷閾值適用于基于石英的光纖(參考右表)。但是與大光學元件不同，與光纖空氣/璃界面相關的表面積和光束直徑都非常小，耦合單模(SM)光纖時尤其如此，因此，對于給定的功率密度，入射到光束直徑較小的光纖的功率需要比較低。
右表列出了兩種光功率密度閾值：一種理論損傷閾值，一種"實際安全水平"。一般而言，理論損傷閾值代表在光纖端面和耦合條件非常好的情況下，可以入射到光纖端面且沒有損傷風險的大功率密度估算值。而"實際安全水平"功率密度代表光纖損傷的低風險。超過實際安全水平操作光纖或元件也是有可以的，但用戶必須遵守恰當的適用性說明，并在使用前在低功率下驗證性能。
計算單模光纖和多模光纖的有效面積單模光纖的有效面積是通過模場直徑(MFD)定義的，它是光通過光纖的橫截面積，包括纖芯以及部分包層。耦合到單模光纖時，入射光束的直徑必須匹配光纖的MFD，才能達到良好的耦合效率。
例如，SM400單模光纖在400 nm下工作的模場直徑(MFD)大約是Ø3 µm，而SMF-28 Ultra單模光纖在1550 nm下工作的MFD為Ø10.5 µm。則兩種光纖的有效面積可以根據下面來計算：
SM400 Fiber:Area= Pi x (MFD/2)2 = Pi x (1.5µm)2 = 7.07 µm2= 7.07 x 10-8cm2
SMF-28 Ultra Fiber: Area = Pi x (MFD/2)2 = Pi x (5.25 µm)2= 86.6 µm2= 8.66 x 10-7cm2
為了估算光纖端面適用的功率水平，將功率密度乘以有效面積。請注意，該計算假設的是光束具有均勻的強度分布，但其實，單模光纖中的大多數激光束都是高斯形狀，使得光束中心的密度比邊緣處更高，因此，這些計算值將略高于損傷閾值或實際安全水平對應的功率。假設使用連續光源，通過估算的功率密度，就可以確定對應的功率水平：
SM400 Fiber: 7.07 x 10-8cm2x 1MW/cm2= 7.1 x10-8MW =71 mW (理論損傷閾值)
7.07 x 10-8cm2x 250 kW/cm2= 1.8 x10-5kW = 18 mW (實際安全水平)
SMF-28 Ultra Fiber: 8.66 x 10-7cm2x 1MW/cm2= 8.7 x10-7MW =870mW (理論損傷閾值)
8.66 x 10-7cm2x 250 kW/cm2= 2.1 x10-4kW =210 mW (實際安全水平)
多模(MM)光纖的有效面積由纖芯直徑確定，一般要遠大于SM光纖的MFD值。如要獲得佳耦合效果，Thorlabs建議光束的光斑大小聚焦到纖芯直徑的70 - 80%。由于多模光纖的有效面積較大，降低了光纖端面的功率密度，因此，較高的光功率(一般上千瓦的數量級)可以無損傷地耦合到多模光纖中。
Estimated Optical Power Densities on Air / Glass Interfacea | ||
Type | Theoretical Damage Thresholdb | Practical Safe Levelc |
CW(Average Power) | ~1 MW/cm2 | ~250 kW/cm2 |
10 ns Pulsed(Peak Power) | ~5 GW/cm2 | ~1 GW/cm2 |
所有值針對無終端(裸露)的石英光纖，適用于自由空間耦合到潔凈的光纖端面。
這是可以入射到光纖端面且沒有損傷風險的大功率密度估算值。用戶在高功率下工作前，必須驗證系統中光纖元件的性能與可靠性，因其與系統有著緊密的關系。
這是在大多數工作條件下，入射到光纖端面且不會損傷光纖的安全功率密度估算值。
插芯/接頭終端相關的損傷機制
有終端接頭的光纖要考慮更多的功率適用條件。光纖一般通過環氧樹脂粘合到陶瓷或不銹鋼插芯中。光通過接頭耦合到光纖時，沒有進入纖芯并在光纖中傳播的光會散射到光纖的外層，再進入插芯中，而環氧樹脂用來將光纖固定在插芯中。如果光足夠強，就可以熔化環氧樹脂，使其氣化，并在接頭表面留下殘渣。這樣，光纖端面就出現了局部吸收點，造成耦合效率降低，散射增加，進而出現損傷。
與環氧樹脂相關的損傷取決于波長，出于以下幾個原因。一般而言，短波長的光比長波長的光散射更強。由于短波長單模光纖的MFD較小，且產生更多的散射光，則耦合時的偏移也更大。
為了大程度地減小熔化環氧樹脂的風險，可以在光纖端面附近的光纖與插芯之間構建無環氧樹脂的氣隙光纖接頭。我們的高功率多模光纖跳線就使用了這種設計特點的接頭。
曲線圖展現了帶終端的單模石英光纖的大概功率適用水平。每條線展示了考慮具體損傷機制估算的功率水平。大功率適用性受到所有相關損傷機制的低功率水平限制(由實線表示)。
確定具有多種損傷機制的功率適用性
光纖跳線或組件可能受到多種途徑的損傷(比如，光纖跳線)，而光纖適用的大功率始終受到與該光纖組件相關的低損傷閾值的限制。
例如，右邊曲線圖展現了由于光纖端面損傷和光學接頭造成的損傷而導致單模光纖跳線功率適用性受到限制的估算值。有終端的光纖在給定波長下適用的總功率受到在任一給定波長下，兩種限制之中的較小值限制(由實線表示)。在488 nm左右工作的單模光纖主要受到光纖端面損傷的限制(藍色實線)，而在1550
nm下工作的光纖受到接頭造成的損傷的限制(紅色實線)。
對于多模光纖，有效模場由纖芯直徑確定，一般要遠大于SM光纖的有效模場。因此，其光纖端面上的功率密度更低，較高的光功率(一般上千瓦的數量級)可以無損傷地耦合到光纖中(圖中未顯示)。而插芯/接頭終端的損傷限制保持不變，這樣，多模光纖的大適用功率就會受到插芯和接頭終端的限制。
請注意，曲線上的值只是在合理的操作和對準步驟幾乎不可能造成損傷的情況下粗略估算的功率水平值。值得注意的是，光纖經常在超過上述功率水平的條件下使用。不過，這樣的應用一般需要專業用戶，并在使用之前以較低的功率進行測試，盡量降低損傷風險。但即使如此，如果在較高的功率水平下使用，則這些光纖元件應該被看作實驗室消耗品。
光纖內的損傷閾值
除了空氣玻璃界面的損傷機制外，光纖本身的損傷機制也會限制光纖使用的功率水平。這些限制會影響所有的光纖組件，因為它們存在于光纖本身。光纖內的兩種損傷包括彎曲損耗和光暗化損傷。
彎曲損耗
光在纖芯內傳播入射到纖芯包層界面的角度大于臨界角會使其無法全反射，光在某個區域就會射出光纖，這時候就會產生彎曲損耗。射出光纖的光一般功率密度較高，會燒壞光纖涂覆層和周圍的松套管。
有一種叫做雙包層的特種光纖，允許光纖包層(第二層)也和纖芯一樣用作波導，從而降低彎折損傷的風險。通過使包層/涂覆層界面的臨界角高于纖芯/包層界面的臨界角，射出纖芯的光就會被限制在包層內。這些光會在幾厘米或者幾米的距離而不是光纖內的某個局部點漏出，從而大限度地降低損傷。Thorlabs生產并銷售0.22 NA雙包層多模光纖，它們能將適用功率提升百萬瓦的范圍。
光暗化
光纖內的第二種損傷機制稱為光暗化或負感現象，一般發生在紫外或短波長可見光，尤其是摻鍺纖芯的光纖。在這些波長下工作的光纖隨著曝光時間增加，衰減也會增加。引起光暗化的原因大部分未可知，但可以采取一些列措施來緩解。例如，研究發現，羥基離子(OH)含量非常低的光纖可以抵抗光暗化，其它摻雜物比如氟，也能減少光暗化。
即使采取了上述措施，所有光纖在用于紫外光或短波長光時還是會有光暗化產生，因此用于這些波長下的光纖應該被看成消耗品。
制備和處理光纖
通用清潔和操作指南
建議將這些通用清潔和操作指南用于所有的光纖產品。而對于具體的產品，用戶還是應該根據輔助文獻或手冊中給出的具體指南操作。只有遵守了所有恰當的清潔和操作步驟，損傷閾值的計算才會適用。
安裝或集成光纖(有終端的光纖或裸纖)前應該關掉所有光源，以避免聚焦的光束入射在接頭或光纖的脆弱部分而造成損傷。
光纖適用的功率直接與光纖/接頭端面的質量相關。將光纖連接到光學系統前，一定要檢查光纖的末端。端面應該是干凈的，沒有污垢和其它可能導致耦合光散射的污染物。另外，如果是裸纖，使用前應該剪切，用戶應該檢查光纖末端，確保切面質量良好。
如果將光纖熔接到光學系統，用戶先應該在低功率下驗證熔接的質量良好，然后在高功率下使用。熔接質量差，會增加光在熔接界面的散射，從而成為光纖損傷的來源。
對準系統和優化耦合時，用戶應該使用低功率；這樣可以大程度地減少光纖其他部分(非纖芯)的曝光。如果高功率光束聚焦在包層、涂覆層或接頭，有可能產生散射光造成的損傷。
高功率下使用光纖的注意事項
一般而言，光纖和光纖元件應該要在安全功率水平限制之內工作，但在理想的條件下(佳的光學對準和非常干凈的光纖端面)，光纖元件適用的功率可能會增大。用戶先必須在他們的系統內驗證光纖的性能和穩定性，然后再提高輸入或輸出功率，遵守所有所需的安全和操作指導。以下事項是一些有用的建議，有助于考慮在光纖或組件中增大光學功率。
要防止光纖損傷光耦合進光纖的對準步驟也是重要的。在對準過程中，在取得佳耦合前，光很容易就聚焦到光纖某部位而不是纖芯。如果高功率光束聚焦在包層或光纖其它部位時，會發生散射引起損傷
使用光纖熔接機將光纖組件熔接到系統中，可以增大適用的功率，因為它可以大程度地減少空氣/光纖界面損傷的可能性。用戶應該遵守所有恰當的指導來制備，并進行高質量的光纖熔接。熔接質量差可能導致散射，或在熔接界面局部形成高熱區域，從而損傷光纖。
連接光纖或組件之后，應該在低功率下使用光源測試并對準系統。然后將系統功率緩慢增加到所希望的輸出功率，同時周期性地驗證所有組件對準良好，耦合效率相對光學耦合功率沒有變化。
由于劇烈彎曲光纖造成的彎曲損耗可能使光從受到應力的區域漏出。在高功率下工作時，大量的光從很小的區域(受到應力的區域)逃出，從而在局部形成產生高熱量，進而損傷光纖。請在操作過程中不要破壞或突然彎曲光纖，以盡可能地減少彎曲損耗。
用戶應該針對給定的應用選擇合適的光纖。例如，大模場光纖可以良好地代替標準的單模光纖在高功率應用中使用，因為前者可以提供更佳的光束質量，更大的MFD，且可以降低空氣/光纖界面的功率密度。
階躍折射率石英單模光纖一般不用于紫外光或高峰值功率脈沖應用，因為這些應用與高空間功率密度相關。
產品型號 | 公英制通用 |
SHB1250G80 | 旋轉保偏光纖，1310 nm，Ø80 µm的包層 |
SHB1250 | 旋轉保偏光纖，1310 nm，Ø125 µm的包層 |
SHB1500 | 旋轉保偏光纖，1550 nm，Ø125 µm的包層 |
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